制訂記憶體等半導體標準規格的 JEDEC 在美國時間 7 月 14 日正式公布下一代 SDRAM 「 DDR5 」 的標準規格。
DDR5 標準將突發長度提升一倍至 BL16 ，記憶體 Bank 數也由 16 增至 32 ，達至在不降低通道效能下以更高的速度擴展記憶體性能。此外， DDR5 DIMM 在同一模塊上設有兩條 40-bit 完全獨立的子通道以提升效能和可靠性，以應付由客戶端系統到高效率伺服器對提升效能日益增長的要求，提供更佳通道效率和更高應用層面效能，讓下一代電腦系統能持續革新。
DDR5 又備有 DFE （決策回饋等化）等新功能，令頻寬比現有的 DDR4 提升一倍，傳輸速度也較 DDR4 末期的 3.2Gbps 提升 1.5 倍至 4.8Gbps 。
其他 DDR5 的新功能還包括「細粒度刷新」，與 DDR4 相比全 Bank 刷新的裝置延遲改善了 16Gbps ；「同 Bank 自我刷新」令到其他的 Bank 在使用時，部分 Bank 也可以進行刷新以提升效率。而在提升能源效益上， Vdd 電壓也由 DDR4 的 1.2V 降至 1.1V ，同時在模塊層面，藉著在 DIMM 上配置電壓調節器的設計提升電壓容限以提高 DRAM 的良率，並有望進一步減低能源消耗。
現時多間廠商已經預備 2021 年推出 DDR5 記憶體。由於 DDR5 規格在針腳、電壓上的改變，毫無疑問現有底板都無法支援，或與 DDR4 併用，甚至 CPU 也要推出新 Socket 來應付 DDR5 的需求。
